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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.8
16.0
写入速度,GB/s
7.3
10.1
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2529
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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