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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.8
16.0
写入速度,GB/s
7.3
10.1
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2529
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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