Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 35
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C11 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.8 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2057 left arrow 2529
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения