RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3483
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link