RAM-Vergleich Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Gesamtnote

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 29

Rund um 7% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.6 11.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.9 7.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 12800

Rund um 1.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2057 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns