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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
43
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
10
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1210
1393
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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