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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    41 left arrow 43
    Rund um 5% geringere Latenzzeit
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11 left arrow 10
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.0 left arrow 11.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 7.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1210 left arrow 1393

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