Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    41 left arrow 43
    Autour de 5% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11 left arrow 10
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.0 left arrow 11.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.2 left arrow 7.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1210 left arrow 1393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons