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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 43
    周辺 5% 低遅延
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11 left arrow 10
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 11.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1210 left arrow 1393

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