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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Compara
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
10
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1210
1393
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
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