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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    41 left arrow 43
    En 5% menor latencia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.0 left arrow 11.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 7.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1210 left arrow 1393

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