RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
42
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2512
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Jinyu 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link