RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2512
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link