RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2512
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link