RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link