RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link