RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
104
Rund um -352% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
18.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
4173
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link