RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
104
Autour de -352% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
4173
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link