RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
104
Intorno -352% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
23
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
4173
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link