RAM-Vergleich Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Gesamtnote

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 13.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

77 104

Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

5.5 2,404.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

786 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns