Porównanie pamięci RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Wynik ogólny

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

77 104

Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

5.5 2,404.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

786 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns