RAM-Vergleich Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Gesamtnote

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 11.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

85 104

Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.0 2,404.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 6400

Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

786 1118

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns