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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
85
104
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
85
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1118
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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