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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston KY7N41-MID 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KY7N41-MID 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
104
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2869
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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