RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 11.8
    テスト平均値
Kingston KY7N41-MID 8GB 考慮すべき理由
Kingston KY7N41-MID 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 104
    周辺 -197% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 2869

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Kingston KY7N41-MID 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
メモリRAM
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
メモリRAM