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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Kingston KY7N41-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MID 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
104
左右 -197% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
35
读取速度,GB/s
3,192.0
15.5
写入速度,GB/s
2,404.5
11.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2869
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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