Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Gesamtnote
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Unterschiede

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    60 left arrow 104
    Rund um -73% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.4 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.2 left arrow 2,404.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    104 left arrow 60
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,192.0 left arrow 6.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,404.5 left arrow 4.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    786 left arrow 1400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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