RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
104
Rund um -206% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2201
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link