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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
104
En -206% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2201
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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