RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2201
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link