RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
104
Rund um -206% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2732
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link