RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
104
En -206% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2732
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link