RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2732
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link