RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
86
104
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1658
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link