RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
86
104
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
86
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1658
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link