RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
86
104
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
86
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
1658
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link