RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3675
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link