RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
104
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
29
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3675
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link