RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
75
Rund um -275% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3088
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link