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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
75
Rund um -134% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3222
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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