RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
74
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3222
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link