RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
74
Около -139% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3222
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link