RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
74
En -139% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3222
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link