RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
74
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3638
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link