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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
50
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2064
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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