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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

総合得点
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 50
    周辺 42% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB 考慮すべき理由
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 10.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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