Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 50

Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.4 10.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.0 7.5

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2423 2064

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns