Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 50

Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.4 10.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.0 7.5

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 12800

Autour de 1.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2423 2064

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns