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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2064
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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