RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2064
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link