Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Gesamtnote
star star star star star
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 74
    Rund um -222% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 2,201.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    74 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,178.4 left arrow 14.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,201.1 left arrow 9.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    508 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche