RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
14.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
74
Rund um -222% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3327
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link