RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3327
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link