RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
74
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3327
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link